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Q1全球前十大晶圓代工營收排名出爐;三星宣布推出1Z納米制程DRAM;國內又一碳化硅項目將實現(xiàn)投產(chǎn)

發(fā)布者:管理員  2019/5/17 16:09:14

全球前十大晶圓代工營收排名

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院在最新報告中指出,預估第一季全球晶圓代工總產(chǎn)值將較2018年同期衰退約16%,達146.2億美元。其中市占率排名前三的分別為臺積電、三星與格芯。盡管臺積電市占率達48.1%,但第一季營收年成長率衰退近18%。

2019年第一季晶圓代工業(yè)者排名與去年相比變化不大,僅力晶因12英寸代工需求下滑而面臨被高塔半導體反超的風險。

觀察前十大晶圓代工業(yè)者第一季的表現(xiàn),包括臺積電(TSMC)、三星(Samsung LSI)、格芯 (GLOBALFOUNDRIES)、聯(lián)電(UMC)、中芯(SMIC)、力晶(Powerchip)等業(yè)者,因12英寸晶圓代工市場需求疲軟,第一季營收表現(xiàn)較去年同期下滑幅度均來到兩位數(shù)。

反觀以8英寸晶圓代工為主要業(yè)務的高塔半導體(TowerJazz)、世界先進(Vanguard)、華虹半導體(Hua Hong)、東部高科(Dongbu HiTek)等業(yè)者,盡管8英寸晶圓代工產(chǎn)能供不應求的現(xiàn)象已漸舒緩,年成長率表現(xiàn)仍不如去年同期亮眼。但相較于以12英寸為主力的晶圓代工廠第一季兩位數(shù)的衰退幅度,可以說其在半導體市場相對不景氣的第一季中穩(wěn)住陣腳。

國內又一碳化硅項目將實現(xiàn)投產(chǎn)

近日,媒體報道,位于山東青島萊西經(jīng)濟開發(fā)區(qū)的中科鋼研碳化硅項目正在加緊建設,今年將實現(xiàn)投產(chǎn)。

據(jù)悉,該項目總投資10億元,占地約80畝,建筑面積5萬平方米,主要生產(chǎn)高品質、大規(guī)格碳化硅晶體襯底片。項目達產(chǎn)后,將實現(xiàn)年產(chǎn)5萬片4英寸碳化硅晶體襯底片與5000片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。

中科鋼研表示,未來將把國家級先進晶體研究院設在萊西,專注碳化硅研發(fā)生產(chǎn),力爭在三年內接近歐美最高水平。

目前全球碳化硅市場基本被國外企業(yè)所壟斷。國內市場,已初步形成了涵蓋各環(huán)節(jié)的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈,在政策利好以及市場驅動下,國內企業(yè)在這一環(huán)節(jié)正努力跟跑與趕超。

Q2 NAND Flash市場展望

集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查指出,受到服務器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預期等終端需求不佳沖擊,2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價綜合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash轉為供過于求以來跌幅最劇的一季。

展望第二季,DRAMeXchange分析師葉茂盛表示,歷經(jīng)第一季的需求低谷之后,智能手機、筆記本電腦及服務器等主要需求較第一季有所改善。

另一方面,NAND Flash供應商紛紛透過抑制資本支出、減緩新制程產(chǎn)出比重,甚至透過減產(chǎn)壓抑產(chǎn)出,雖無法立即扭轉供過于求的態(tài)勢,但對于市場環(huán)境確實有正面的幫助。

綜上所述,第二季eMMC/UFS、SSD、Wafer等產(chǎn)品合約價仍將繼續(xù)下跌,但跌幅相較第一季則是有所收斂,落在10~15%的水位。

聞泰科技收購安世半導體新進展

聞泰科技收購安世半導體迎來重大進展,3月21日,聞泰科技發(fā)布一系列公告,確定了發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關聯(lián)交易報告書(草案),草案的公告意味著整個交易方案已經(jīng)塵埃落定,走完股東大會審批流程后即可上報證監(jiān)會。

聞泰科技的主要客戶為國際知名電子品牌廠商,其產(chǎn)品包括智能手機、IoT、筆記本電腦等,安世半導體所生產(chǎn)的電子產(chǎn)品核心元器件雖然廣泛應用于上述消費電子及計算機產(chǎn)品當中,但是40%客戶和市場在歐美,40%以上的營收來自于汽車功率半導體。

熟悉全球市場的聞泰科技可將安世半導體的產(chǎn)品大量引入到全球知名的手機、平板電腦、筆記本電腦、智能硬件等品牌客戶當中,幫助安世在消費電子、IoT、筆記本電腦市場領域擴大市場份額。雙方的合作將為未來雙方的發(fā)展發(fā)揮出“1+1>2”的協(xié)同效應。

如果順利通過證監(jiān)會審批,在5G正式商用的前一年完成這筆中國最大的半導體收購案,雙方都迎來難得的發(fā)展良機。

廈門鑫天虹項目正式投產(chǎn)

日前,廈門火炬高新區(qū)的半導體設備項目鑫天虹公司正式投產(chǎn)。

2018年11月,鑫天虹項目正式落戶廈門火炬高新區(qū)。據(jù)悉,該項目計劃總投資2億美元,落戶后項目在短短三個月時間內完成了萬級、千級無塵車間的建設,預計這個月底將可交付第一臺半導體,隨著產(chǎn)能逐步提升,預計投產(chǎn)后第五年營收可達3.8億元。

廈門作為中國集成電路主要新興城市之一,現(xiàn)已聚集了聯(lián)芯、士蘭微、星宸、美日光罩等一系列企業(yè),逐漸形成集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。報道稱,鑫天虹是廈門首家半導體設備企業(yè),該項目投產(chǎn)將彌補設備環(huán)節(jié)的缺失,進一步完善廈門集成電路產(chǎn)業(yè)鏈條。

近年來,國內正在大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè),但最“卡脖子”的環(huán)節(jié)其實是材料設備業(yè),國內大多制造設備仍依賴進口,不少地方政府亦正在努力補足這一環(huán)節(jié),如無錫等城市亦大力推動設備業(yè)發(fā)展。

三星宣布推出1Z納米制程DRAM

全球DRAM龍頭三星21日宣布,首次業(yè)界開發(fā)第3代10納米等級(1Z納米制程)8GB高性能DRAM。這也是三星發(fā)展1Y納米制程DRAM之后,經(jīng)歷16個月,再開發(fā)出更先進制程的DRAM產(chǎn)品。

三星表示,1Z納米制程8GBDDR4DRAM的正式大量生產(chǎn)時間將落在2019下半年,以應對下一代企業(yè)服務器需求,并有望能在2020年支援新高階個人計算機。

隨著1Z納米制程產(chǎn)品問世,并成為業(yè)界最小的存儲器生產(chǎn)節(jié)點,目前三星已準備好用新的1Z納米制程DDR4DRAM滿足日益成長的市場需求,生產(chǎn)效率比以前1Y納米等版DDR4DRAMUL4高20%以上。

三星表示,1Z納米制程8GBDDR4DRAM的正式大量生產(chǎn)時間將落在2019下半年,以應對下一代企業(yè)服務器需求,并有望能在2020年支援新高階個人計算機。

除了提供市場需求,三星還指出,跨入1Z納米制程的DRAM生產(chǎn),將為全球IT加快朝向下一代DRAM界面,包括DDR5、LPDDR5和GDDR6等預做準備。

圖片聲明:封面圖片來源于正版圖片庫,拍信網(wǎng)。

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轉自https://www.dramx.com/Topic/20190323-16134.html

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